Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

FFSP1065B

Name: onsemi FFSP1065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP1065B
Price: 38.48 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-FFSP1065B

Tillverk: Nr.:

FFSP1065B

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-schottkydioder SIC DIODE 650V 10A

Datablad:

FFSP1065B Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi FFSP1065B

På lager: 837

Lager:: 837 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	38,48 kr	38,48 kr
	19,61 kr	196,10 kr
	17,70 kr	1 770,00 kr
	16,43 kr	8 215,00 kr
	13,78 kr	13 780,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-2
Konfiguration:	Single
If - Framström:	10 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	650 V
Vf - Framspänning:	1.38 V
Ifsm - Stötström framåt:	45 A
Ir - Motström:	40 uA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	FFSP1065B
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Pd - Effektavledning:	75 W
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Handelsnamn:	EliteSiC
Vr - Backspänning:	650 V
Enhetens vikt:	3,698 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FFSP1065B Datablad

PCN

Material Composition Disclosure

Efterlevnadskoder

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Korea

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.