FDMS86181

onsemi
512-FDMS86181
FDMS86181

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
8 992
Fabrikens ledtid:
22
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
29,43 kr 29,43 kr
17,11 kr 171,10 kr
13,63 kr 1.363,00 kr
12,64 kr 6.320,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
10,85 kr 32.550,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
1 Channel
100 V
124 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: onsemi
Konfiguration: Single
Falltid: 6 ns
Transkonduktans framåt - Min: 116 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 9 ns
Serie: FDMS86181
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 25 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 17 ns
Enhetens vikt: 90 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are 100V N-channel MV MOSFETs developed using an advanced PowerTrench process that integrates Shielded Gate Technology. These MOSFETs minimize on-state resistance (RDSON) and reverse recovery charge (Qrr) to deliver superior switching performance and efficiency. The small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr), and Figure of Merit (FOM) ensure fast switching for synchronous rectification applications. These devices have little to no voltage overshoot, reduces voltage ringing, and lowers EMI for applications requiring a 100V-rated MOSFET such as power supplies and motor drives. The power density of these MOSFETs allows wider MOSFET de-rating. These devices are 100% UIL tested and are available in an MSL1 robust package design.