Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

E4MS036120K

Name: Wolfspeed E4MS036120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS036120K
Price: 74.99 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-E4MS036120K

Tillverk: Nr.:

E4MS036120K

Tillverk:

Wolfspeed

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

E4MS036120K Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Wolfspeed E4MS036120K

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 450 Flera: 450

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	74,99 kr	33.745,50 kr
	66,71 kr	60.039,00 kr
	56,79 kr	76.666,50 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Wolfspeed
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	55 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	47 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.6 V
Qg - Gate-laddning:	88 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	211 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Märke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Falltid:	4 ns
Transkonduktans framåt - Min:	20 S
Produkt:	SiC MOSFET
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	3 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channe
Typ:	Silicon Carbide Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	29 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

E4MS036120K Datablad (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.