Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

E4MS025120U2-TR

Name: Wolfspeed E4MS025120U2-TR
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS025120U2-TR
Price: 62.78 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-E4MS025120U2-TR

Tillverk: Nr.:

E4MS025120U2-TR

Tillverk:

Wolfspeed

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

E4MS025120U2-TR Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Wolfspeed E4MS025120U2-TR

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 800 Flera: 800

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
	62,78 kr	50.224,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Wolfspeed
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-7XL
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	82 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	33 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.6 V
Qg - Gate-laddning:	125 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	350 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Märke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Falltid:	11 ns
Transkonduktans framåt - Min:	28 S
Förpackning:	Reel
Produkt:	SiC MOSFET
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	4 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	Silicon Carbide Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	36 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

E4MS025120U2-TR Datablad (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.