DMN53D0LDW-7

Diodes Incorporated
621-DMN53D0LDW-7
DMN53D0LDW-7

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 3 664

Lager:
3 664
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
51 000
Förväntad 2026-04-17
27 000
Förväntad 2026-06-15
Fabrikens ledtid:
24
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
2,71 kr 2,71 kr
1,65 kr 16,50 kr
1,04 kr 104,00 kr
0,763 kr 381,50 kr
0,632 kr 632,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
0,534 kr 1.602,00 kr
0,458 kr 2.748,00 kr
0,403 kr 3.627,00 kr
0,371 kr 8.904,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
2,81 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Diodes Incorporated
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
50 V
360 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Dual
Falltid: 11 ns, 11 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 2.5 ns, 2.5 ns
Serie: DMN53
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 19 ns, 19 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 2.7 ns, 2.7 ns
Enhetens vikt: 7,500 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.