DIW065SIC080

Name: Diotec Semiconductor DIW065SIC080
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIW065SIC080
Price: 142.35 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

637-DIW065SIC080

Tillverk: Nr.:

DIW065SIC080

Tillverk:

Diotec Semiconductor

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

DIW065SIC080 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Diotec Semiconductor DIW065SIC080

På lager: 450

Lager:: 450 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 21 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	142,35 kr	142,35 kr
	111,29 kr	1.112,90 kr
	66,71 kr	8.005,20 kr
	66,05 kr	33.685,50 kr
	63,98 kr	65.259,60 kr
2 520	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Diotec Semiconductor
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	36 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	80 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	75 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	175 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	DIW065SIC080
Märke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	9 ns
Transkonduktans framåt - Min:	3.5 S
Produkt:	MOSFETs
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	13 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	20 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	10 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

DIW065SIC080 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.