Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

CGHV40180F

Name: MACOM CGHV40180F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40180F
Price: 3810.86 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-CGHV40180F

Tillverk: Nr.:

CGHV40180F

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET GaN HEMT

Datablad:

CGHV40180F Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM CGHV40180F

På lager: 350

Lager:: 350 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	3.810,86 kr	3.810,86 kr
	3.307,61 kr	33.076,10 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	440223
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	125 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	18 A
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	- 3.8 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	150 W
Märke:	MACOM
Utvecklingskit:	CGHV40180F-TB1
Förstärkning:	20.3 dB
Maximal driftsfrekvens:	1 GHz
Minsta driftfrekvens:	50 MHz
Utgångseffekt:	180 W
Förpackning:	Tray
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	25
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	GaN HEMT
Vgs - Gate-källans genombrottsspänning:	- 10 V, 2 V
Enhetens vikt:	25,676 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CGHV40180F Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.