CDFG6558N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDFG6558N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDFG6558NTR13PBF
Price: 101.81 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

610-CDFG6558NTR13PBF

Tillverk: Nr.:

CDFG6558N TR13 PBFREE

Tillverk:

Central Semiconductor

Beskrivning:

GaN FET 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

CDFG6558N TR13 PBFREE Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Central Semiconductor CDFG6558N TR13 PBFREE

På lager: 2 483

Lager:: 2 483 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	101,81 kr	101,81 kr
	70,63 kr	706,30 kr
	58,97 kr	5 897,00 kr
	57,77 kr	57 770,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	50,03 kr	125 075,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Central Semiconductor
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	29 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	80 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	6.2 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Kanalläge:	Depletion
Märke:	Central Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	4 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	Field Effect Transistors
Produkttyp:	GaN FETs
Stigtid:	4 ns
Serie:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	Power FET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	5 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	3 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CDFG6558N TR13 PBFREE Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.