Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

C4MS047120J2-TR

Name: Wolfspeed C4MS047120J2-TR
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4MS047120J2-TR
Price: 29.1 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-C4MS047120J2-TR

Tillverk: Nr.:

C4MS047120J2-TR

Tillverk:

Wolfspeed

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

C4MS047120J2-TR Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Wolfspeed C4MS047120J2-TR

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 800 Flera: 800

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
	29,10 kr	23.280,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Wolfspeed
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-7XL
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	54 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	47 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V + 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.6 V
Qg - Gate-laddning:	68 nC
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	280 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Falltid:	4 ns
Transkonduktans framåt - Min:	15 S
Förpackning:	Reel
Produkt:	SiC MOSFET
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	2 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	Silicon Carbide Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	23 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	10 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

C4MS047120J2-TR Datablad (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V C4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V C4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in hard-switched applications. The C4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, thereby expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The C4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the C3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of both hard-switched and soft-switched topologies.