Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

BSM180C12P2E202

Name: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180C12P2E202
Price: 6488.99 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-BSM180C12P2E202

Tillverk: Nr.:

BSM180C12P2E202

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET-moduler 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02

Datablad:

BSM180C12P2E202 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202

På lager: 4

Lager:: 4 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 4 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	6 488,99 kr	6 488,99 kr
	6 427,95 kr	77 135,40 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	Module
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	204 A
Vgs - Gate-källans spänning:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.6 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.36 kW
Serie:	BSMx
Förpackning:	Tray
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Falltid:	32 ns
Höjd:	15.4 mm
If - Framström:	180 A
Längd:	152 mm
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	36 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	4
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC Power Module
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	139 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	49 ns
Vf - Framspänning:	1.6 V
Bredd:	62 mm
Vr - Backspänning:	1.2 kV

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

BSM180C12P2E202 Datablad (PDF)

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.