BFU530XAR

Name: NXP BFU530XAR
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU530XAR
Price: 7.22 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

771-BFU530XAR

Tillverk: Nr.:

BFU530XAR

Tillverk:

NXP Semiconductors

Beskrivning:

RF Bipolära transistorer NPN wideband silicon RF transistor

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

BFU530XAR Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om NXP Semiconductors BFU530XAR

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 99 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	7,22 kr	7,22 kr
	4,46 kr	44,60 kr
	2,93 kr	293,00 kr
	2,31 kr	1 155,00 kr
	1,97 kr	1 970,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	1,48 kr	4 440,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	NXP
Produktkategori:	RF Bipolära transistorer
RoHS-direktivet:
Serie:	BFU530X
Transistortyp:	Bipolar Wideband
Teknologi:	Si
Transistorns polaritet:	NPN
Manövreringsfrekvens:	11 GHz
DC-kollektor/basförstärkning Hfe Min:	60
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	12 V
Sändare - Basspänning VEBO:	2 V
Kontinuerlig dräneringsström:	40 mA
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Konfiguration:	Single
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-143B-4
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	NXP Semiconductors
Maximal DC-kollektorström:	65 mA
Utgångseffekt:	10 dBm
Pd - Effektavledning:	450 mW
Produkttyp:	RF Bipolar Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Del # Alias:	934067707215
Enhetens vikt:	8,870 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

BFU530XAR Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors

NXP Semiconductors BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors are AEC-Q101 qualified, low noise, high breakdown RF transistors suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Offering exceptional performance, BFU5x RF Transistors generate 20dB of maximum gain and a noise figure of 0.7dB at 900MHz. These devices allow for better signal reception at low to medium power and enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments. When used as (low-noise) amplifiers or oscillators, BFU5x RF Transistors support high supply voltages and high breakdown voltages. This makes these devices well-suited for automotive, communication, and industrial applications. The product family is available in a wide range of industry-standard packages, including SOT323, SOT23, and SOT143.