AS1C4M16PL-70BINTR

Name: Alliance Memory AS1C4M16PL-70BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS1C4M16PL70BINT
Price: 39.89 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

913-AS1C4M16PL70BINT

Tillverk: Nr.:

AS1C4M16PL-70BINTR

Tillverk:

Alliance Memory

Beskrivning:

DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT

Datablad:

AS1C4M16PL-70BINTR Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Alliance Memory AS1C4M16PL-70BINTR

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 2000 Flera: 2000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	39,89 kr	79.780,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Alliance Memory
Produktkategori:	DRAM
RoHS-direktivet:
Typ:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Minnesstorlek:	64 Mbit
Databussbredd:	16 bit
Maximal klockfrekvens:	133 MHz
Paket/låda:	FBGA-49
Organisation:	4 M x 16
Åtkomsttid:	70 ns
Minimal matningsspänning:	1.7 V
Maximal matningsspänning:	1.95 V
Minsta drifttemperatur:	- 30 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Serie:	AS1C4M16PL-70
Förpackning:	Reel
Märke:	Alliance Memory
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	DRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max:	25 mA

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

AS1C4M16PL-70BINTR Datablad (PDF)

USHTS:: 8542320041
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM

Alliance Memory Pseudo SRAM uses DRAM-type memory cells and has a refresh-free operation and extreme low power consumption technology. The interface is compatible to a low-power Asynchronous type SRAM. These devices are variations of the industry-standard Flash control interface with a multiplexed address/data bus. The multiplexed address and data functionality dramatically reduces the required signal count and increases read/write bandwidth.