STF17N62K3

Name: STMicroelectronics STF17N62K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF17N62K3
Price: 49.27 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STF17N62K3

Tillverk: Nr.:

STF17N62K3

Tillverk:

STMicroelectronics

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lager:: 996 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 996 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	49,27 kr	49,27 kr
	26,16 kr	261,60 kr

Tillverk:

STMicroelectronics

Tillverk: Nr.:

STF16N60M2

Beskrivning:

MOSFET:er N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	620 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	15.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	280 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	105 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	40 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	SuperMESH
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	62 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	29 ns
Serie:	STF17N62K3
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	110 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	22 ns
Enhetens vikt:	2 g