Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

T2G4005528-FS

Name: Qorvo T2G4005528-FS
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G4005528-FS
Price: 3064.86 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

772-T2G4005528-FS

Tillverk: Nr.:

T2G4005528-FS

Tillverk:

Qorvo

Beskrivning:

GaN FET DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Datablad:

T2G4005528-FS Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Qorvo T2G4005528-FS

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 100 Flera: 100

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	3 064,86 kr	306 486,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Qorvo
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Paket/låda:	NI-360
Transistorns polaritet:	N-Channel
Märke:	Qorvo
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Förstärkning:	16 dB
Maximal driftsfrekvens:	3.5 GHz
Fuktkänsliga:	Yes
Utgångseffekt:	55 W
Förpackning:	Tray
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	T2G4005528
Fabriksförpackningskvantitet:	100
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	HEMT
Typ:	GaN SiC HEMT
Del # Alias:	T2G4005528 1099993

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

T2G4005528-FS Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.