Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

NXH80T120L3Q0S3TG

Name: onsemi NXH80T120L3Q0S3TG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH80T120L3Q0S3T
Price: 677.65 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NXH80T120L3Q0S3T

Tillverk: Nr.:

NXH80T120L3Q0S3TG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

IGBT-moduler PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN TIM)

Datablad:

NXH80T120L3Q0S3TG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NXH80T120L3Q0S3TG

På lager: 23

Lager:: 23 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	677,65 kr	677,65 kr
	538,35 kr	5.383,50 kr
	508,81 kr	61.057,20 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	IGBT-moduler
RoHS-direktivet:
Produkt:	IGBT Modules
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	1.2 kV
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	75 A
Gate-sändarens läckström:	300 nA
Pd - Effektavledning:	82 W
Paket/låda:	Q0PACK
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Förpackning:	Tray
Märke:	onsemi
Maximal grind-emitterspänning:	20 V
Monteringsstil:	Press Fit
Produkttyp:	IGBT Modules
Serie:	NXH80T120L3Q0
Fabriksförpackningskvantitet:	24
Underkategori:	IGBTs
Teknologi:	Si

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NXH80T120L3Q0S3TG Datablad

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH80T120L3Q0 Integrerad effektmodul (PIM)

Den integrerade effektmodulen (PIM) NXH80T120L3Q0 från onsemi innehåller ett växelriktarsteg med tre nivåer och neutralpunktslåsning av typ T. Denna växelriktare med tre nivåer består av två halvbryggade IGBT:er på 80 A/1200 V med dioder på 40 A/1200 V i halvbryggan. Den integrerade effektmodulen NXH80T120L3Q0 har två IGBT:er på 50 A/600 V NPC med två NPC-dioder på 50 A/600 V. Denna integrerade effektmodul har lägre överföringsförluster, switchningsförluster, låg V_CESAT,vilket gör det möjligt för konstruktörer att uppnå hög effektivitet och överlägsen tillförlitlighet. Den integrerade effektmodulen NXH80T120L3Q0 har alternativ med förapplicerat material för termiska gränssnitt (TIM) och utan förapplicerat TIM, eller med lödbara stift, stift för presspassning samt termistor. Det ger en maximal drifttemperatur i övergången på 150 °C (vid switchningsförhållanden). Den integrerade effektmodulen NXH80T120L3Q0 är perfekt för växelriktare för solceller och i avbrottsfria strömförsörjningar.