NVMFS5C442NLAFT1G-YE

Name: onsemi NVMFS5C442NLAFT1G-YE
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5C442NLAFT1GYE
Price: 15.15 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-FS5C442NLAFT1GYE

Tillverk: Nr.:

NVMFS5C442NLAFT1G-YE

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er T6 40V S08FL

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NVMFS5C442NLAFT1G-YE Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMFS5C442NLAFT1G-YE

På lager: 1 312

Lager:: 1 312 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 29 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	15,15 kr	15,15 kr
	9,66 kr	96,60 kr
	6,44 kr	644,00 kr
	5,28 kr	2.640,00 kr
	4,79 kr	4.790,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	4,25 kr	6.375,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-5
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	130 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	50 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	83 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	9.4 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8.3 ns
Serie:	NVMFS5C442NL
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	28 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVMFS5C442NLAFT1G-YE Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.