NVMFS5C410NET3G

Name: onsemi NVMFS5C410NET3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C410NET3G
Price: 20.88 SEK
Availability: Discontinued

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVMFS5C410NET3G

Tillverk: Nr.:

NVMFS5C410NET3G

Tillverk:

onsemi

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 5000 Flera: 5000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	20,88 kr	104 400,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-5
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	300 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	920 uOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Qg - Gate-laddning:	86 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	166 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	MY
Distributionsland:	US
Ursprungsland:	US
Falltid:	173 ns
Transkonduktans framåt - Min:	190 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	162 ns
Serie:	NVMFS5C410N
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	227 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	54 ns