NVMFS4C305NET1G-YE

Name: onsemi NVMFS4C305NET1G-YE
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFS4C305NET1GYE
Price: 12.19 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-VMFS4C305NET1GYE

Tillverk: Nr.:

NVMFS4C305NET1G-YE

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NVMFS4C305NET1G-YE Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMFS4C305NET1G-YE

På lager: 1 335

Lager:: 1 335 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 42 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	12,19 kr	12,19 kr
	7,65 kr	76,50 kr
	5,07 kr	507,00 kr
	3,96 kr	1 980,00 kr
	3,60 kr	3 600,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	3,29 kr	4 935,00 kr
	3,14 kr	9 420,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SO-8FL
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	127 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.2 V
Qg - Gate-laddning:	30 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	79 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	5 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	26 ns
Serie:	NVMFS4C05N
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	26 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVMFS4C305NET1G-YE Datablad

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Malaysia
Monteringsland:: Malaysia
Distributionsland:: USA

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.