Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

NVMFS4C303NET1G

Name: onsemi NVMFS4C303NET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C303NET1G
Price: 13.73 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVMFS4C303NET1G

Tillverk: Nr.:

NVMFS4C303NET1G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMFS4C303NET1G

På lager: 1 350

Lager:: 1 350 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	13,73 kr	13,73 kr
	8,59 kr	85,90 kr
	5,70 kr	570,00 kr
	4,46 kr	2.230,00 kr
	4,09 kr	4.090,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	3,75 kr	5.625,00 kr
	3,38 kr	15.210,00 kr
	3,29 kr	29.610,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Produkttyp:	MOSFETs
Fabriksförpackningskvantitet:	1500

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.