Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

NVMFD5C680NLWFT1G

Name: onsemi NVMFD5C680NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C680NLWFT
Price: 23.74 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVMFD5C680NLWFT

Tillverk: Nr.:

NVMFD5C680NLWFT1G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er T6 60V LL S08FL DS

Datablad:

NVMFD5C680NLWFT1G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMFD5C680NLWFT1G

På lager: 3 555

Lager:: 3 555

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 1 500

Förväntad 2026-06-10

7 500

Förväntad 2026-06-12
Fabrikens ledtid:: 50

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	23,74 kr	23,74 kr
	15,26 kr	152,60 kr
	10,39 kr	1 039,00 kr
	8,58 kr	4 290,00 kr
	7,04 kr	7 040,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	7,04 kr	10 560,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SO-8FL-Dual-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	26 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	23 mOhms, 23 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.2 V
Qg - Gate-laddning:	5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	19 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Falltid:	23 ns, 23 ns
Transkonduktans framåt - Min:	50 S, 50 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	25 ns, 25 ns
Serie:	NVMFD5C680NL
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	13 ns, 13 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	6.4 ns, 6.4 ns
Enhetens vikt:	161,193 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVMFD5C680NLWFT1G Datablad

PCN

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Malaysia
Monteringsland:: Malaysia
Distributionsland:: USA

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.