NVMFD5C470NLET1G

Name: onsemi NVMFD5C470NLET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C470NLET1G
Price: 13.46 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVMFD5C470NLET1G

Tillverk: Nr.:

NVMFD5C470NLET1G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er T6 40V LL S08FL DS

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NVMFD5C470NLET1G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMFD5C470NLET1G

På lager: 1 500

Lager:: 1 500 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 29 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	13,46 kr	13,46 kr
	8,50 kr	85,00 kr
	5,63 kr	563,00 kr
	4,40 kr	2 200,00 kr
	3,55 kr	3 550,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	3,29 kr	4 935,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	36 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	11.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.2 V
Qg - Gate-laddning:	9 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	46 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Monteringsland:	MY
Distributionsland:	US
Ursprungsland:	MY
Falltid:	36 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	55 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	20 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9.3 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVMFD5C470NLET1G Datablad

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.