Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

NTK3134NT5G

Name: onsemi NTK3134NT5G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTK3134NT5G
Price: 3.1 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTK3134NT5G

Tillverk: Nr.:

NTK3134NT5G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er 20V/6V N CH T1

Datablad:

NTK3134NT5G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTK3134NT5G

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 112 000

Förväntad 2026-07-24

144 000

88 000

Förväntad 2027-01-29

56 000

Förväntad 2027-10-27
Fabrikens ledtid:: 52

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 8000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	3,10 kr	3,10 kr
	1,86 kr	18,60 kr
	1,07 kr	107,00 kr
	0,912 kr	456,00 kr
	0,795 kr	795,00 kr
	0,689 kr	1 722,50 kr
	0,456 kr	2 280,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 8000)
	0,456 kr	3 648,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-723-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	20 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	890 mA
Rds på - Dräneringskällans resistans:	200 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	450 mV
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	550 mW
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	4.8 ns
Transkonduktans framåt - Min:	1.6 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	4.8 ns
Serie:	NTK3134N
Fabriksförpackningskvantitet:	8000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	17.3 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	6.7 ns
Enhetens vikt:	1,275 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTK3134NT5G Datablad

PCN

SPICE Models

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Taiwan
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Taiwan

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NTK3134N Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NTK3134N Single N-Channel Power MOSFETs with ESD protection are robust MOSFETs optimized for high-efficiency switching applications. Encased in a compact 3-lead SOT-723 package, the onsemi NTK3134N components deliver a low R_DS(on)of 0.20Ω at 4.5V, minimizing conduction losses and enhancing thermal performance. With a drain-source voltage rating of 20V and a steady-state continuous drain current capability of 890mA (maximum), the NTK3134N MOSFETs are ideal for use in portable electronics, DC-DC converters, and load switch circuits. Fast switching speeds and low gate charge contribute to reduced power consumption and improved overall system efficiency, making these MOSFETs a reliable choice for space-constrained, power-sensitive designs.