Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

NCP51561DBDWR2G

Name: onsemi NCP51561DBDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCP51561DBDWR2G
Price: 34.44 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NCP51561DBDWR2G

Tillverk: Nr.:

NCP51561DBDWR2G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver

Datablad:

NCP51561DBDWR2G Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NCP51561DBDWR2G

På lager: 931

Lager:: 931 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	34,44 kr	34,44 kr
	25,94 kr	259,40 kr
	23,76 kr	594,00 kr
	21,58 kr	2.158,00 kr
	20,38 kr	5.095,00 kr
	18,53 kr	9.265,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	18,20 kr	18.200,00 kr
	17,77 kr	35.540,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar
RoHS-direktivet:
Serie:	NCP51561
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOIC-16
Antal kanaler:	2 Channel
Isoleringsspänning:	5 kVrms
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Utbredningsförsening - Max:	58 ns
Stigtid:	11 ns
Falltid:	10 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Ingångsspänning – max.:	5 V
Ingångsspänning – min.:	3 V
Maximal förseningstid vid avstängning:	58 ns
Maximal förseningstid vid påslagning:	58 ns
Antal drivenheter:	2 Driver
Antal utgångar:	2 Output
Utgångsström:	4.5 A, 9 A
Utgångsspänning:	18.5 V to 30 V
Produkt:	Gate Driver
Produkttyp:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	PMIC - Power Management ICs
Maximal matningsspänning:	5 V
Minimal matningsspänning:	3 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NCP51561DBDWR2G Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

NCP51561 5kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Drivers

onsemi NCP51561 5kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Drivers are designed for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches. The 4.5A/9.0A NCP51561 Gate Drivers offer short and matched propagation delays. Two independent and 5kV_RMS (UL1577 rating) galvanically isolated gate driver channels can be used in any possible configurations of two low-side, two high-side switches, or a half-bridge driver with programmable dead time. An enable pin shutdown both outputs simultaneously when it is set low. The NCP51561 Gate Drivers integrate other important protection functions such as independent under-voltage lockout for gate drivers and enable functions.

Industrial Motor Drives

onsemi Industrial Motor Drives are designed for global sustainability, supplying efficient, renewable technologies and intelligent power. According to the 2020 Motor System Market Analysis (MSMA), published by the US Department of Energy (DOE), industrial pumps and drives annually consume almost 15% of the total US grid. The 2020 MSMA also estimates that 32.3 million metric tons of CO₂ emissions can be saved annually using VFDs. onsemi manufactures a broad range of VFD semiconductor components, including gate drivers, MOSFETs, IGBTs, and EliteSiC.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.