NCD5700DR2G

onsemi
863-NCD5700DR2G
NCD5700DR2G

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om onsemi NCD5700DR2G

På lager: 2 576

Lager:
2 576 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ †
33,14 kr 33,14 kr
24,96 kr 249,60 kr
23,00 kr 575,00 kr
20,60 kr 2.060,00 kr
18,75 kr 4.687,50 kr
17,88 kr 8.940,00 kr
17,33 kr 17.330,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
17,00 kr 42.500,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
SMD/SMT
SOIC-16
1 Driver
1 Output
7.8 A
0 V
5 V
Inverting, Non-Inverting
18 ns
19 ns
- 40 C
+ 125 C
NCD5700
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: onsemi
Egenskaper: DESAT Protection, Tight UVLO Thresholds
Maximal förseningstid vid avstängning: 63 ns
Maximal förseningstid vid påslagning: 56 ns
Arbetsström: 900 uA
Utgångsspänning: 800 mV, 14.1 V
Pd - Effektavledning: 900 mW
Produkttyp: Gate Drivers
Avstängning: Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: Si
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCD5700 and NCD5701 IGBT Gate Drivers

onsemi NCD5700 and NCD5701 Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) Gate Drivers are high-current, high-performance devices for high power applications, such as solar inverters, motor control, and Uninterruptable Power Supplies (UPSs). These Gate Drivers are highly-integrated, offering a cost-effective solution by eliminating many external components. Device protection features of the NCD5700 and NCD5701 Gate Drivers include accurate Under-Voltage Lockout (UVLO), Desaturation Protection (DESAT), and Active Low FAULT output.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.