Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

FFSH1665ADN-F155

Name: onsemi FFSH1665ADN-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH1665ADN-F155
Price: 77.17 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-FFSH1665ADN-F155

Tillverk: Nr.:

FFSH1665ADN-F155

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-schottkydioder 650V 16A SIC SBD

Datablad:

FFSH1665ADN-F155 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi FFSH1665ADN-F155

På lager: 433

Lager:: 433 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	77,17 kr	77,17 kr
	51,73 kr	517,30 kr
	39,33 kr	4 719,60 kr
	34,87 kr	17 783,70 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
REACH - SVHC:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Konfiguration:	Dual Anode Common Cathode
If - Framström:	16 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	650 V
Vf - Framspänning:	1.5 V
Ifsm - Stötström framåt:	49 A
Ir - Motström:	200 uA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	FFSH1665ADN-F155
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Pd - Effektavledning:	77 W
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Handelsnamn:	EliteSiC
Vr - Backspänning:	650 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FFSH1665ADN-F155 Datablad

PCN

Material Composition Declaration

Efterlevnadskoder

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Korea

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.