FFSD0665A

onsemi
863-FFSD0665A
FFSD0665A

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-schottkydioder 650V 6A SIC SBD

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 553

Lager:
553 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
32,16 kr 32,16 kr
21,04 kr 210,40 kr
14,61 kr 1.461,00 kr
12,64 kr 6.320,00 kr
12,10 kr 12.100,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
11,77 kr 29.425,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Single
6 A
650 V
1.5 V
42 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSD0665A
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: onsemi
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Pd - Effektavledning: 89 W
Produkttyp: SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Diodes & Rectifiers
Handelsnamn: EliteSiC
Vr - Backspänning: 650 V
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.