FDP100N10

512-FDP100N10
FDP100N10

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 100V N-Channel PowerTrench

Livscykel:
Utgående:
Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.
Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 207

Lager:
207 Kan skickas omedelbart
Partier som är större än 207 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
40,70 kr 40,70 kr
21,09 kr 210,90 kr
19,08 kr 1 908,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
75 A
10 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
100 nC
- 55 C
+ 175 C
208 W
Enhancement
PowerTrench
Tube
Märke: onsemi
Konfiguration: Single
Falltid: 115 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 265 ns
Serie: FDP100N10
Fabriksförpackningskvantitet: 50
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 125 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 70 ns
Enhetens vikt: 2 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.