Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

FDMS0309AS

Name: onsemi FDMS0309AS
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS0309AS
Price: 12.08 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

512-FDMS0309AS

Tillverk: Nr.:

FDMS0309AS

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

Datablad:

FDMS0309AS Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 4 025

Lager:: 4 025 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	12,08 kr	12,08 kr
	7,57 kr	75,70 kr
	5,00 kr	500,00 kr
	3,92 kr	1 960,00 kr
	3,35 kr	3 350,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	3,10 kr	9 300,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	Power-56-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	21 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.2 V
Qg - Gate-laddning:	47 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	2.5 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PowerTrench
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	FDMS0309AS
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-channel
Enhetens vikt:	68,100 mg