Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

FDB031N08

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

512-FDB031N08

Tillverk: Nr.:

FDB031N08

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er 75V N-Channel PowerTrench

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

FDB031N08 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Leveransavisering:

Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.

Tillgänglighet

Lager:: Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Möjlig ersättning

Tillverk:

onsemi

Tillverk: Nr.:

FDB024N08BL7

Beskrivning:

MOSFET:er 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
Leveransrestriktioner:	Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	75 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	235 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.1 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	220 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	375 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PowerTrench
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	121 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	191 ns
Serie:	FDB031N08
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	335 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	230 ns
Enhetens vikt:	4 g