Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

FCU600N65S3R0

Name: onsemi FCU600N65S3R0
Brand: onsemi
SKU: 863-FCU600N65S3R0
Price: 22.47 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-FCU600N65S3R0

Tillverk: Nr.:

FCU600N65S3R0

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

FCU600N65S3R0 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 508

Lager:: 1 508 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 1508 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	22,47 kr	22,47 kr
	12,51 kr	125,10 kr
	7,64 kr	573,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	6 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	600 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	11 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	54 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	14 ns
Transkonduktans framåt - Min:	3.6 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	9 ns
Serie:	SuperFET3
Fabriksförpackningskvantitet:	75
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	29 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns
Enhetens vikt:	360 mg