Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

FCPF400N80Z

Name: onsemi FCPF400N80Z
Brand: onsemi
SKU: 512-FCPF400N80Z
Price: 46.22 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

512-FCPF400N80Z

Tillverk: Nr.:

FCPF400N80Z

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er N-Channel SuperFET II MOSFET

Datablad:

FCPF400N80Z Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi FCPF400N80Z

På lager: 4 962

Lager:: 4 962 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 31 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	46,22 kr	46,22 kr
	24,06 kr	240,60 kr
	19,50 kr	1 950,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	800 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	11 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	400 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	56 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	35.7 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	SuperFET II
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	15 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	34 ns
Serie:	FCPF400N80Z
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	112 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	50 ns
Enhetens vikt:	2 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FCPF400N80Z Datablad

PCN

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Korea

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

SuperFET® II Power MOSFETs

onsemi SuperFET® II Power MOSFETs are a high voltage MOSFET family utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. SuperFET II MOSFETs are suitable for various AC-DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and high efficiency.