AFGY100T65SPD

onsemi
863-AFGY100T65SPD
AFGY100T65SPD

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om onsemi AFGY100T65SPD

På lager: 1 771

Lager:
1 771 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
17 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
113,53 kr 113,53 kr
68,37 kr 683,70 kr
64,02 kr 7 682,40 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3LD
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
660 W
- 55 C
+ 175 C
AFGY100T65SPD
Tube
Märke: onsemi
Monteringsland: CN
Distributionsland: KR
Ursprungsland: CN
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: IGBTs
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.