W25Q16RVSSJM

Winbond
454-W25Q16RVSSJM
W25Q16RVSSJM

Tillverk:

Beskrivning:
NOR-flash spiFlash, 3V, 16M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

Livscykel:
Verifiera statusen med fabriken:
Informationen om livscykel är oklar. Erhåll ett anbud för att verifiera tillgängligheten för detta artikelnummer från tillverkaren.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 968

Lager:
968 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 968 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1   Maximalt: 100
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
6,02 kr 6,02 kr
5,93 kr 59,30 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Winbond
Produktkategori: NOR-flash
RoHS-direktivet:  
Tube
Märke: Winbond
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: NOR Flash
Fabriksförpackningskvantitet: 90
Underkategori: Memory & Data Storage
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8542326100
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Taiwan
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

DRAM Product Portfolio

Winbond DRAM Product Portfolio consists of Mobile RAM and Specialty DRAM for consumer, communication, peripheral, industrial, and automobile markets. Specialty DRAM features high performance and a high speed for a complete solution. The SDR, DDR, DDR2, and DDR3 feature support for industrial and automotive applications with AEC-Q100, TS16949, ISO9001/14001, OHSAS18001 certificates. Winbond provides professional advice to KGD customers, including SiP package bonding and power/thermal, DRAM simulation, and wafer level on speed tests.