SIHG110N65SF-GE3

Name: Vishay SIHG110N65SF-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIHG110N65SF-GE3
Price: 45.24 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SIHG110N65SF-GE3

Tillverk: Nr.:

SIHG110N65SF-GE3

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lager:: 364 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247AC-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	33 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	115 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	83 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	313 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Falltid:	21 ns
Transkonduktans framåt - Min:	26 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	50 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	100 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	30 ns