Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SI7629DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7629DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7629DN-T1-GE3
Price: 17.07 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

781-SI7629DN-T1-GE3

Tillverk: Nr.:

SI7629DN-T1-GE3

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Beskrivning:

MOSFET:er 20V 35A 52W

Datablad:

SI7629DN-T1-GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay Semiconductors SI7629DN-T1-GE3

På lager: 26 695

Lager:: 26 695 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	17,07 kr	17,07 kr
	10,81 kr	108,10 kr
	7,26 kr	726,00 kr
	5,73 kr	2 865,00 kr
	5,25 kr	5 250,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	4,61 kr	13 830,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK-1212-8
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	20 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	35 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.5 V
Qg - Gate-laddning:	177 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	52 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	TrenchFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Falltid:	28 ns
Transkonduktans framåt - Min:	64 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	38 ns
Serie:	SI7
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	75 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	35 ns
Del # Alias:	SI7629DN-GE3
Enhetens vikt:	1 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SI7629DN-T1-GE3 Datablad

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Si76 Series MOSFETs

Vishay Semiconductors Si76 Series MOSFETs are TrenchFET^® power MOSFETs for low-side switches in DC/DC converters and OR-ings. The P- and N-channel MOSFETs are 100% avalanche and R_g tested. The Vishay Si76 Series MOSFETs offer a wide range of packages and voltages for user requirements.