Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IRFRC20PBF-BE3

Name: Vishay IRFRC20PBF-BE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-IRFRC20PBF-BE3
Price: 24.7 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-IRFRC20PBF-BE3

Tillverk: Nr.:

IRFRC20PBF-BE3

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Beskrivning:

MOSFET:er TO252 600V 2A N-CH MOSFET

Datablad:

IRFRC20PBF-BE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay Semiconductors IRFRC20PBF-BE3

På lager: 8 749

Lager:: 8 749 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 8749 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	24,70 kr	24,70 kr
	16,01 kr	160,10 kr
	10,92 kr	1 092,00 kr
	8,75 kr	4 375,00 kr
	8,11 kr	8 110,00 kr
	7,57 kr	22 710,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	2 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.4 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	18 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	42 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Bulk
Märke:	Vishay Semiconductors
Falltid:	25 ns
Transkonduktans framåt - Min:	1.4 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	23 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	23 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	10 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Technical Resources

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Taiwan
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.