Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IRFR220PBF

Name: Vishay IRFR220PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR220PBF
Price: 7.31 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

844-IRFR220PBF

Tillverk: Nr.:

IRFR220PBF

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Beskrivning:

MOSFET:er TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

Datablad:

IRFR220PBF Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 19 673

Lager:: 19 673 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	7,31 kr	7,31 kr
	4,59 kr	45,90 kr
	4,19 kr	419,00 kr
	3,82 kr	1.910,00 kr
	3,19 kr	3.190,00 kr
	3,13 kr	9.390,00 kr
	3,08 kr	18.480,00 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

IRFR220TRPBF

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

11,99 kr

Min:

Tillverk: Artikelnummer:

IRFR220TRRPBF

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

11,99 kr

Min:

Tillverk: Artikelnummer:

IRFR220PBF-BE3

Emballage:

Bulk

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

19,73 kr

Min:

Liknande produkt

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Tillverk: Nr.:

IRFR220PBF-BE3

Beskrivning:

MOSFET:er TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	200 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4.8 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	800 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	14 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	42 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Falltid:	13 ns
Transkonduktans framåt - Min:	1.7 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	22 ns
Serie:	IRFR/U
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	19 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	7.2 ns
Enhetens vikt:	330 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3