Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

TP65H035G4WSQA

Name: Renesas Electronics TP65H035G4WSQA
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H035G4WSQA
Price: 168.75 SEK
Availability: LimitedAvailability

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

227-TP65H035G4WSQA

Tillverk: Nr.:

TP65H035G4WSQA

Tillverk:

Renesas Electronics

Beskrivning:

GaN FET GAN FET 650V 46.5A TO247

Livscykel:

Begränsad tillgång:

Detta artikelnummer finns för närvarande inte tillgängligt från Mouser. Distributionen av produkten kan vara begränsad eller det kan vara en speicalorder för fabrikenr.

Datablad:

TP65H035G4WSQA Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 144

Lager:: 144 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 144 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	168,75 kr	168,75 kr
	140,24 kr	1 402,40 kr
	140,13 kr	16 815,60 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Renesas Electronics
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	47.2 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	41 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.8 V
Qg - Gate-laddning:	22 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	187 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	SuperGaN
Märke:	Renesas Electronics
Falltid:	10 ns
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	GaN FETs
Stigtid:	10 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	94 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	60 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TP65H035G4WSQA Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Filippinerna
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs

Renesas Electronics Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs are normally-off devices that offer superior reliability and performance. The devices combine state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies. The series offers improved efficiency over silicon through lower gate charge and crossover loss, and smaller reverse recovery charge. Renesas Electronics Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs are ideal for automotive, datacom, PV inverters, and industrial applications.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H035G4WSQA 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H035G4WSQA 650V SuperGaN® FET is a normally-off device using Renesas Electronics's Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET. The device offers superior reliability and performance, and with the SuperGaN® platform, it uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability. This improves efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.