TPW1500CNH,L1Q

Toshiba
757-TPW1500CNHL1Q
TPW1500CNH,L1Q

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er POWER MOSFET TRANSISTOR

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 14 835

Lager:
14 835 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
31,39 kr 31,39 kr
20,38 kr 203,80 kr
14,28 kr 1.428,00 kr
12,32 kr 6.160,00 kr
11,23 kr 11.230,00 kr
10,68 kr 26.700,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
10,36 kr 51.800,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Toshiba
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
DSOP-8
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
15.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
142 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Toshiba
Konfiguration: Single
Falltid: 12 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 8 ns
Serie: TPW1500CNH
Fabriksförpackningskvantitet: 5000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 36 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 20 ns
Enhetens vikt: 104 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Motor Control Applications

Toshiba Motor Control Applications are a portfolio of new-generation devices for motor applications. Included are high-performance MOSFETs for high efficiency in end products. These Toshiba MOSFETs are fabricated using the current Gen-8 trench MOS process, which helps improve the efficiency of power supplies. Features include low drain-source on-resistance, low leakage current, and high avalanche ruggedness.