TPN3300ANH,LQ
Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer
Se produktspecifikationer
757-TPN3300ANHLQ
TPN3300ANH,LQ
Tillverk:
Beskrivning:
MOSFET:er N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
MOSFET:er N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
Datablad:
På lager: 22 109
-
Lager:
-
22 109 Kan skickas omedelbartEtt oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
-
Fabrikens ledtid:
-
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Prissättning (SEK)
| Antal | Enhetspris |
Ext. pris
|
|---|---|---|
| Skärtejp/MouseReel™ † | ||
| 15,48 kr | 15,48 kr | |
| 9,84 kr | 98,40 kr | |
| 6,55 kr | 655,00 kr | |
| 5,16 kr | 2.580,00 kr | |
| 4,71 kr | 4.710,00 kr | |
| Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000) | ||
| 4,01 kr | 12.030,00 kr | |
| 3,92 kr | 23.520,00 kr | |
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.
↩
Datablad
Application Notes
- Application Note
- Application Note
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
