TPH8R80ANH,L1Q
Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer
Se produktspecifikationer
757-TPH8R80ANHL1Q
TPH8R80ANH,L1Q
Tillverk:
Beskrivning:
MOSFET:er N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
MOSFET:er N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
Datablad:
På lager: 8 893
-
Lager:
-
8 893 Kan skickas omedelbartEtt oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
-
Fabrikens ledtid:
-
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Prissättning (SEK)
| Antal | Enhetspris |
Ext. pris
|
|---|---|---|
| Skärtejp/MouseReel™ † | ||
| 23,44 kr | 23,44 kr | |
| 15,15 kr | 151,50 kr | |
| 10,41 kr | 1.041,00 kr | |
| 8,28 kr | 4.140,00 kr | |
| 7,78 kr | 7.780,00 kr | |
| 7,20 kr | 18.000,00 kr | |
| Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000) | ||
| 6,98 kr | 34.900,00 kr | |
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.
↩
Datablad
Application Notes
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors Maximum Ratings
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Simple Guide to Improving Ripple Rejection Ratio of LDO Regulators
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
