TPH3R10AQM,LQ

Toshiba
757-TPH3R10AQMLQ
TPH3R10AQM,LQ

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 4 598

Lager:
4 598
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
5 000
Förväntad 2026-05-25
10 000
Förväntad 2026-06-15
Fabrikens ledtid:
16
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
21,94 kr 21,94 kr
14,20 kr 142,00 kr
9,67 kr 967,00 kr
7,73 kr 3 865,00 kr
7,47 kr 7 470,00 kr
7,32 kr 18 300,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
7,09 kr 35 450,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Toshiba
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
120 A
3.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
83 nC
- 55 C
+ 175 C
210 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Toshiba
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: JP
Ursprungsland: MY
Falltid: 30 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 26 ns
Serie: U-MOS X-H
Fabriksförpackningskvantitet: 5000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 104 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 45 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (RDS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (Ciss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (COSS) lowers the output charge (QOSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.