TK9R7A15Q5,S4X

Name: Toshiba TK9R7A15Q5,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK9R7A15Q5S4X
Price: 36.95 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

757-TK9R7A15Q5S4X

Tillverk: Nr.:

TK9R7A15Q5,S4X

Tillverk:

Toshiba

Beskrivning:

MOSFET:er TO220 150V 1.1A N-CH

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

TK9R7A15Q5,S4X Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Toshiba TK9R7A15Q5,S4X

På lager: 209

Lager:: 209 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	36,95 kr	36,95 kr
	21,04 kr	210,40 kr
	17,55 kr	1.755,00 kr
	17,00 kr	8.500,00 kr
	16,68 kr	16.680,00 kr
	16,35 kr	40.875,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Toshiba
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220SIS-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	150 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	49 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	9.7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	50 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	45 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Falltid:	36 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	42 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	68 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	69 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TK9R7A15Q5,S4X Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.