Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

TK8A60W5,S5VX

Name: Toshiba TK8A60W5,S5VX
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK8A60W5S5VX
Price: 24.31 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

757-TK8A60W5S5VX

Tillverk: Nr.:

TK8A60W5,S5VX

Tillverk:

Toshiba

Beskrivning:

MOSFET:er Power MOSFET N-Channel

Datablad:

TK8A60W5,S5VX Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Toshiba TK8A60W5,S5VX

På lager: 192

Lager:: 192 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 32 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	24,31 kr	24,31 kr
	14,50 kr	145,00 kr
	10,41 kr	1.041,00 kr
	7,97 kr	3.985,00 kr
	6,90 kr	6.900,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Toshiba
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	8 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	440 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	22 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	30 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	DTMOSIV
Förpackning:	Tube
Märke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Falltid:	5.5 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	40 ns
Serie:	TK8A60W5
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	70 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	60 ns
Enhetens vikt:	2 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TK8A60W5,S5VX Datablad (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.