Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

TK5A90E,S4X

Name: Toshiba TK5A90E,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK5A90ES4X
Price: 20.82 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

757-TK5A90ES4X

Tillverk: Nr.:

TK5A90E,S4X

Tillverk:

Toshiba

Beskrivning:

MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

Datablad:

TK5A90E,S4X Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Toshiba TK5A90E,S4X

På lager: 156

Lager:: 156 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	20,82 kr	20,82 kr
	10,41 kr	104,10 kr
	9,66 kr	966,00 kr
	7,36 kr	3.680,00 kr
	6,37 kr	6.370,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Toshiba
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	900 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.1 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	20 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	40 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	MOSVII
Förpackning:	Tube
Märke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Falltid:	15 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	25 ns
Serie:	TK5A90E
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	80 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	55 ns
Enhetens vikt:	2 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TK5A90E,S4X Datablad (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.