TK31V60W5,LVQ

Toshiba
757-TK31V60W5LVQ
TK31V60W5,LVQ

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 587

Lager:
1 587
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
2 250
Förväntad 2026-02-10
Fabrikens ledtid:
20
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
54,61 kr 54,61 kr
36,62 kr 366,20 kr
27,80 kr 2.780,00 kr
27,69 kr 13.845,00 kr
27,36 kr 27.360,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
23,44 kr 58.600,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Toshiba
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
DFN8x8-5
N-Channel
1 Channel
600 V
30.8 A
87 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
105 nC
+ 150 C
240 W
Enhancement
DTMOSIV
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Toshiba
Konfiguration: Single
Falltid: 8.5 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 80 ns
Serie: TK31V60
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 165 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 120 ns
Enhetens vikt: 175 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.