Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

TK100L60W,VQ

Name: Toshiba TK100L60W,VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK100L60WVQ
Price: 284.05 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

757-TK100L60WVQ

Tillverk: Nr.:

TK100L60W,VQ

Tillverk:

Toshiba

Beskrivning:

MOSFET:er DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

Datablad:

TK100L60W,VQ Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Toshiba TK100L60W,VQ

På lager: 74

Lager:: 74 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	284,05 kr	284,05 kr
	217,35 kr	2.173,50 kr
	209,17 kr	20.917,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Toshiba
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-3PL-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	100 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	15 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.7 V
Qg - Gate-laddning:	360 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	797 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	DTMOSIV
Förpackning:	Tube
Märke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Falltid:	125 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	130 ns
Serie:	TK100L60
Fabriksförpackningskvantitet:	100
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	690 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	230 ns
Enhetens vikt:	7 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TK100L60W,VQ Datablad (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.