Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

TK068N65Z5,S1F

Name: Toshiba TK068N65Z5,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK068N65Z5S1F
Price: 85.24 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

757-TK068N65Z5S1F

Tillverk: Nr.:

TK068N65Z5,S1F

Tillverk:

Toshiba

Beskrivning:

MOSFET:er TO247 650V 1.69A N-CH

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

TK068N65Z5,S1F Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Toshiba TK068N65Z5,S1F

På lager: 205

Lager:: 205 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	85,24 kr	85,24 kr
	55,05 kr	550,50 kr
	48,61 kr	5.833,20 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Toshiba
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	37 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	68 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	68 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	270 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Falltid:	3.5 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	51 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	115 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	92 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TK068N65Z5,S1F Datablad (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2025 - MOSFETs

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.