SSM6P816R,LF

Toshiba
757-SSM6P816RLF
SSM6P816R,LF

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 7 608

Lager:
7 608 Kan skickas omedelbart
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
7,13 kr 7,13 kr
4,39 kr 43,90 kr
2,84 kr 284,00 kr
2,17 kr 1.085,00 kr
1,95 kr 1.950,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
1,61 kr 4.830,00 kr
1,48 kr 8.880,00 kr
1,44 kr 12.960,00 kr
1,33 kr 31.920,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Toshiba
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Reel
Cut Tape
Märke: Toshiba
Produkttyp: MOSFETs
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.