Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

TPS28226DR

Name: Texas Instruments TPS28226DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS28226DR
Price: 13.08 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-TPS28226DR

Tillverk: Nr.:

TPS28226DR

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

Styrdrivenheter Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226D

Datablad:

TPS28226DR Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments TPS28226DR

På lager: 2 336

Lager:: 2 336 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 6 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	13,08 kr	13,08 kr
	10,68 kr	106,80 kr
	9,66 kr	241,50 kr
	8,63 kr	863,00 kr
	8,12 kr	2.030,00 kr
	7,80 kr	3.900,00 kr
	7,53 kr	7.530,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	6,95 kr	17.375,00 kr
	6,87 kr	51.525,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

TPS28226D

Emballage:

Tube

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

15,15 kr

Min:

Liknande produkt

Tillverk:

Texas Instruments

Tillverk: Nr.:

TPS28226D

Beskrivning:

Styrdrivenheter Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver

Livscykel:

Utgående: Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOIC-8
Antal drivenheter:	2 Driver
Antal utgångar:	2 Output
Utgångsström:	4 A
Minimal matningsspänning:	6.8 V
Maximal matningsspänning:	8 V
Stigtid:	10 ns
Falltid:	5 ns
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Serie:	TPS28226
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Egenskaper:	Synchronous Rectification
Maximal förseningstid vid avstängning:	14 ns
Pd - Effektavledning:	1.25 W
Produkttyp:	Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	PMIC - Power Management ICs
Teknologi:	Si
Enhetens vikt:	72,600 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.